| 发明名称 | 共腔双波长分布反馈激光器的制作方法 | ||
| 摘要 | 一种共腔双波长分布反馈激光器的制备方法，该方法包括如下步骤：步骤1：在掺杂磷化铟衬底上制作下层光栅；步骤2：在下层光栅上外延生长下光栅覆盖层和有源区层；步骤3：在有源区层上制作上层光栅；步骤4：在上层光栅上外延生长掺杂磷化铟盖层和重掺杂欧姆接触层；步骤5：按标准激光器管芯工艺完成后续制作。本发明相比现有技术的双模DFB激光器，其主要区别为光栅的制作方式，是在共腔有源区的下层和上层制作出两套不同周期的DFB光栅，从而达到同时输出两个DFB波长的效果。 | ||
| 申请公布号 | CN105406355A | 申请公布日期 | 2016.03.16 |
| 申请号 | CN201510967950.6 | 申请日期 | 2015.12.22 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 邓秋芳;朱洪亮;许俊杰;梁松 |
| 分类号 | H01S5/12(2006.01)I;H01S5/20(2006.01)I;H01S5/30(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种共腔双波长分布反馈激光器的制备方法，该方法包括如下步骤：步骤1：在掺杂磷化铟衬底上制作下层光栅；步骤2：在下层光栅上外延生长下光栅覆盖层和有源区层；步骤3：在有源区层上制作上层光栅；步骤4：在上层光栅上外延生长掺杂磷化铟盖层和重掺杂欧姆接触层；步骤5：按标准激光器管芯工艺完成后续制作。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||