| 发明名称 |
半导体装置及其制造方法 |
| 摘要 |
明之课题在于提高具有完全空乏型SOI电晶体之半导体装置之可靠性及性能。
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| 申请公布号 |
TW201611250 |
申请公布日期 |
2016.03.16 |
| 申请号 |
TW104117022 |
申请日期 |
2015.05.27 |
| 申请人 |
瑞萨电子股份有限公司 |
发明人 |
尾田秀一 |
| 分类号 |
H01L27/12(2006.01);H01L29/66(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L21/84(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
| 主权项 |
一种半导体装置，其系于第1区域具备第1场效电晶体者，且上述第1场效电晶体包括：SOI基板，其具有半导体基板、上述半导体基板上之绝缘膜、及上述绝缘膜上之半导体层；第1闸极电极，其系介隔第1闸极绝缘膜而形成于上述半导体层上；第1补偿间隙壁，其形成于上述第1闸极电极之侧壁；第1导电型之第1延伸层，其形成于上述第1闸极电极之两侧之上述半导体层；及源极、汲极用之上述第1导电型之第1磊晶层，其形成于未形成上述第1闸极电极及上述第1补偿间隙壁之上述半导体层上；且上述第1补偿间隙壁之宽度为上述半导体层之厚度以上、且上述半导体层与上述绝缘膜之合计之厚度以下。
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| 地址 |
日本 |
