半导体结构

摘要

提出一种包括改良之静电放电保护元件的半导体结构。此种半导体结构包括一基板、形成于基板中的一井区、形成于井区中的一第一重掺杂区、形成于井区中并与第一重掺杂区分离的一第二重掺杂区、形成于基板上介于第一重掺杂区及第二重掺杂区之间的一闸极结构、形成于井区中第一重掺杂区及闸极结构下的一场区、及形成于邻接第一重掺杂区处的一场氧化物/浅沟槽隔离结构。场区并未形成于第二重掺杂区下。井区及场区具有一第一掺杂类型。第一重掺杂区及第二重掺杂区具有一第二掺杂类型。

主权项

【第1项】一种半导体结构，包括：一基板；一井区，形成于该基板中，该井区具有一第一掺杂类型；一第一重掺杂区，形成于该井区中，该第一重掺杂区具有一第二掺杂类型；一第二重掺杂区，形成于该井区中并与该第一重掺杂区分离，该第二重掺杂区具有该第二掺杂类型；一闸极结构，形成于该基板上介于该第一重掺杂区及该第二重掺杂区之间；一场区，形成于该井区中该第一重掺杂区及该闸极结构下，该场区具有该第一掺杂类型，其中该场区并未形成于该第二重掺杂区下；以及一场氧化物，形成于邻接该第一重掺杂区处。