静态随机存取记忆体单元

摘要

露提供一种静态随机存取记忆体(SRAM)单元，其包括一第一及一第二上拉电晶体、与其形成交错闩锁转换器的一第一及一第二下拉电晶体及一第一及一第二传送闸电晶体。第一及第二上拉电晶体、第一及第二下拉电晶体及第一及第二传送闸电晶体的每一者包括作为一第一源极/汲极区的一下板、位于下板上的一通道及作为一第二源极/汲极区且位于通道上的一上板。一第一隔离主动区位于SRAM单元内，且作为第一下拉电晶体的下板及第一传送闸电晶体的下板。一第二隔离主动区位于SRAM单元内，且作为第二下拉电晶体的下板及第二传送闸电晶体的下板。

主权项

一种静态随机存取记忆体单元，包括：一第一上拉电晶体及一第二上拉电晶体；一第一下拉电晶体及一第二下拉电晶体，与该第一及该第二上拉电晶体单元形成交错闩锁转换器；一第一传送闸电晶体及一第二传送闸电晶体，其中该第一及该第二上拉电晶体、该第一及该第二下拉电晶体及该第一及该第二传送闸电晶体的每一者包括作为一第一源极/汲极区的一下板、位于该下板上的一通道及作为一第二源极/汲极区且位于该通道上的一上板；一第一隔离主动区，其中该第一隔离主动区作为该第一下拉电晶体的该下板及该第一传送闸电晶体的该下板；以及一第二隔离主动区，其中该第二隔离主动区作为该第二下拉电晶体的该下板及该第二传送闸电晶体的该下板。