发明名称 提高热电堆红外探测器响应率的晶圆级封装结构
摘要 本发明提供一种提高热电堆红外探测器响应率的晶圆级封装结构,包括红外探测器和承载红外探测器的承载基板;所述红外探测器包括硅基底,悬浮膜,在硅基底中的空腔结构,位于悬浮膜中的热电堆结构,热电堆结构的一端为热端,另一端为冷端,在悬浮膜上引出引线电极,在引线电极上设置焊料凸点;所述红外探测器倒扣叠加在承载基板上。本发明的改进之处在于:在所述红外探测器的硅基底的背面生长红外增透膜,在所述空腔结构正下方悬浮膜正对的承载基板表面设置红外反射膜。进一步改进在于,所述红外增透膜为图形化的红外增透膜,覆盖在除所述冷端上方的硅基底背面对应区域以外的硅基底背面。本封装结构提高了红外探测器响应率。
申请公布号 CN103148947B 申请公布日期 2016.03.16
申请号 CN201310093555.0 申请日期 2013.03.21
申请人 江苏物联网研究发展中心 发明人 孟如男;王玮冰
分类号 G01J5/10(2006.01)I;B81B7/00(2006.01)I 主分类号 G01J5/10(2006.01)I
代理机构 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 代理人 曹祖良
主权项 一种提高热电堆红外探测器响应率的晶圆级封装结构,包括红外探测器(1)和承载红外探测器(1)的承载基板(12);所述红外探测器(1)包括硅基底(2),硅基底(2)正面的悬浮膜(3),在硅基底(2)中形成的空腔结构(4),位于悬浮膜(3)中的热电堆结构(9),热电堆结构(9)的一端为热端(7),另一端为冷端(8),在悬浮膜(3)上引出引线电极(10),在引线电极(10)上设置焊料凸点(11);所述红外探测器(1)正面面向承载基板(12),倒扣叠加在承载基板(12)上,所述焊料凸点(11)与承载基板(12)上对应位置处的对外导电接点(13)连接;其特征在于:在所述红外探测器(1)的硅基底(2)的背面生长红外增透膜(6),和在所述空腔结构(4)正下方悬浮膜(3)正对的承载基板(12)表面设置红外反射膜(14);所述红外增透膜(6)为图形化的红外增透膜,覆盖在除所述冷端(8)上方的硅基底(2)背面对应区域以外的硅基底(2)背面;所述红外增透膜(6)采用多层膜,红外增透膜(6)的材料为氟化镁、氧化钛、硫化铅、硒化铅以及陶瓷红外光红外增透膜、乙烯基倍半硅氧烷杂化膜中的一种;所述红外反射膜(14)为单层金属膜、单层金属和保护膜构成的复合膜或在金属膜上涂覆偶数层介质膜形成的金属电解质膜系反射膜。
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