对于零偏移具有降低的补偿角的二轴磁场传感器

摘要

提供用于形成参考层的传感器和制造工艺，该参考层具有基本上正交的磁化方向，该磁化方向具有小补偿角的零偏移。一个示例性实施例包括基于磁阻薄膜的磁场传感器的传感器层堆叠，该传感器层堆叠包括：钉扎层；被钉扎层包括：在钉扎层之上的非晶材料的层，以及在非晶材料的层之上的晶体材料的第一层；在被钉扎层之上的非磁性耦合层；在非磁性耦合层之上的第一层；在固定层之上的隧道势垒；以及，在非磁中间层之上的感测层。另一个实施例包括传感器层堆叠，其中，被钉扎层包括由非晶层分开的两个晶体层。

主权项

一种磁阻薄膜磁场传感器，包括：抗铁磁性钉扎层；被钉扎层，包括：在抗铁磁性钉扎层之上具有在2到15埃范围厚度的非晶铁磁层；以及在非晶铁磁层之上的第一晶体铁磁层；在被钉扎层之上的非磁性耦合层；在非磁性耦合层之上的铁磁性固定层；在铁磁性固定层之上的电介质隧道势垒层；以及在电介质隧道势垒层之上的铁磁性感测层。