NMOS晶体管及形成方法、CMOS结构及形成方法

摘要

一种NMOS晶体管及形成方法、CMOS结构及形成方法，所述NMOS晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成栅极结构；在所述半导体衬底表面形成掩膜层，所述掩膜层暴露出栅极结构两侧的半导体衬底；对所述掩膜层暴露出的半导体衬底进行倾斜非晶化注入，在所述栅极结构下方和两侧的半导体衬底内形成倒八字形的非晶化区域；对所述非晶化区域进行退火，在所述倒八字形的非晶化区域内形成位错；在所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成源区和漏区。通过在栅极结构下方和两侧的半导体衬底内具有倒八字形的位错，所述位错能在沟道区产生拉伸应力，可以提高NMOS晶体管的沟道区中载流子的迁移率。

主权项

一种NMOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成栅极结构；在所述半导体衬底表面形成掩膜层，所述掩膜层暴露出栅极结构两侧的半导体衬底；以所述掩膜层为掩膜对所述掩膜层暴露出的半导体衬底进行倾斜非晶化注入，在所述栅极结构下方和两侧的半导体衬底内形成倒八字形的非晶化区域；对所述非晶化区域进行退火，在所述倒八字形的非晶化区域内形成位错，所述位错倾斜深入至NMOS晶体管的沟道区；在所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成源区和漏区，所述源区和漏区内掺杂有N型杂质离子。