发明名称 一种低质量密度halbach取向钕铁硼磁体
摘要 本发明公开的低质量密度halbach取向钕铁硼磁体,包括本体,本体为块状,本体内部具有孔洞,孔洞由至少一段蛇形孔道和至少一段直道连通组成,本体具有磁化区,所述磁化区至少部分的磁场方向按照halbach阵列取向,磁化区的halbach阵列取向所形成的增强磁场在本体的外部。本发明通过结合磁体中的局部中空结构以及halbach阵列取向,以在降低磁体平均密度,调整重心的同时,避免场强性能的降低,从而提高应用的效率与便利性。
申请公布号 CN105405558A 申请公布日期 2016.03.16
申请号 CN201510817951.2 申请日期 2015.11.23
申请人 宁波尼兰德磁业有限公司 发明人 王海涛
分类号 H01F1/057(2006.01)I;H01F1/08(2006.01)I;H01F41/02(2006.01)I 主分类号 H01F1/057(2006.01)I
代理机构 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(普通合伙) 33243 代理人 张向飞
主权项 一种低质量密度halbach取向钕铁硼磁体,包括本体,其特征在于:所述本体为块状,所述本体内部具有孔洞,孔洞由至少一段蛇形孔道和至少一段直道连通组成,所述本体具有磁化区,所述磁化区至少部分的磁场方向按照halbach阵列取向,所述磁化区的halbach阵列取向所形成的增强磁场在本体的外部。
地址 315145 浙江省宁波市鄞州经济开发区鄞东北路411号