| 发明名称 | 形成源漏区外延锗硅均匀轮廓的方法 | ||
| 摘要 | 本发明主要涉及一种形成源漏区外延锗硅均匀轮廓的方法，包括以下步骤：在一个衬底上预制备栅极结构；在衬底的顶部刻蚀形成第一、第二沟槽，使栅极结构布置在衬底位于第一、第二沟槽之间的区域的上方；刻蚀第一、第二沟槽各自的侧壁直至在它们的侧壁上形成向内凹陷的凹槽；刻蚀第一、第二沟槽各自带有凹槽的侧壁以增加侧壁的粗糙程度；在第一、第二沟槽中填充锗硅材料以分别形成漏极区和源极区。 | ||
| 申请公布号 | CN105405766A | 申请公布日期 | 2016.03.16 |
| 申请号 | CN201510716917.6 | 申请日期 | 2015.10.28 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 谭俊;高剑琴;黄秋铭;钟健 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/24(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人 | 俞涤炯 |
| 主权项 | 一种形成源漏区外延锗硅均匀轮廓的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：在一个衬底上预制备栅极结构；S2：在衬底的顶部刻蚀形成第一、第二沟槽，使栅极结构布置在衬底位于第一、第二沟槽之间的区域的上方；S3：刻蚀第一、第二沟槽各自的侧壁直至在它们的侧壁上形成向内凹陷的凹槽；S4：刻蚀第一、第二沟槽各自带有凹槽的侧壁以增加侧壁的粗糙程度；S5：在第一、第二沟槽中填充锗硅材料以分别形成漏极区和源极区。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 | ||