发明名称 |
一种超薄晶片电阻器的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种超薄晶片电阻器的制备方法,所述制备方法包括以下步骤:基板分割:将一块基板上划分出两块对称的区域,在两个区域上分别镭射切割出若干条相互垂直的纵线和横线,所述若干条相互垂直的纵线和横线分别将两个区域均匀分割成若干矩形格,每个矩形格是一个电阻器单元。通过上述方式,本发明能够改善制作较薄电阻器时基板在一次分割过程中易断裂的情况,并且该制备方法的产品良品率大大提高,生产效率也提高。 |
申请公布号 |
CN105405550A |
申请公布日期 |
2016.03.16 |
申请号 |
CN201511018956.5 |
申请日期 |
2015.12.31 |
申请人 |
旺诠科技(昆山)有限公司 |
发明人 |
管春风 |
分类号 |
H01C17/00(2006.01)I;H01C17/065(2006.01)I |
主分类号 |
H01C17/00(2006.01)I |
代理机构 |
广州市红荔专利代理有限公司 44214 |
代理人 |
付春霞 |
主权项 |
一种超薄晶片电阻器的制备方法,其特征在于,其包括以下步骤:基板分割:将一块基板上划分出两块对称的区域,在两个区域上分别镭射切割出若干条相互垂直的纵线和横线,所述若干条相互垂直的纵线和横线分别将两个区域均匀分割成若干矩形格,每个矩形格是一个电阻器单元;步骤C2:在基板的背面的每条横线处印刷导体层;步骤C1:在基板的正面的每条横线处印刷导体层;步骤RS:在基板的正面印刷电阻,并且电阻与导体层搭接;步骤G1:在RS步骤完成后的电阻器单元上印刷电阻层保护层,所述电阻层保护层覆盖基板正面印刷的电阻;步骤LT:镭射切割电阻,调整电阻值;步骤G2:在镭射切割口上印刷保护层,所述保护层覆盖整个电阻器单元;端银:将基板按照纵线分割成若干纵条,将多个纵条放在一个排条治具内,经过真空镀膜机对排条治具内的排条的两侧镀银;即在每个电阻器单元的两侧镀银;折粒:将每根纵条按照横线折断,从而得到若干颗粒状电阻器单元;电镀:将若干颗粒状电阻器单元表面先镀镍,然后再镀锌,得到成品电阻器;测试包装:将若干成品电阻器逐一进行阻值测定,测试合格后进行包装。 |
地址 |
215300 江苏省苏州市昆山市黄浦江中路333号 |