半导体多项目或多产品晶片制造工艺

摘要

本发明公开了一种半导体多项目或多产品MP晶片制造工艺。半导体多项目或多产品MP晶片制造工艺包括对多个MP晶片进行第一制造工艺步骤；将MP晶片分批为MP晶片群组-1和MP晶片群组-2；对MP晶片群组-1进行第二制造工艺步骤-1，且对MP晶片群组-2进行第二制造工艺步骤-2，分别于MP晶片群组-1和MP晶片群组-2形成大体上不同的半导体装置或制造工艺组件，且第二制造工艺步骤-1和第二制造工艺步骤-2属于相同的制造工艺世代。对MP晶片群组-1进行第三制造工艺步骤-3，对MP晶片群组-2进行第三制造工艺步骤-4，分别于MP晶片群组-1和MP晶片群组-2上形成大体上相同的半导体装置或制造工艺组件。本发明具有较低的原型产品一次性工程费用。

主权项

一种半导体多项目或多产品MP晶片制造工艺，包括下列步骤：使用一屏蔽，对一MP晶片进行一光刻制造工艺；进行完成该光刻制造工艺之后，对该MP晶片进行包括一蚀刻制造工艺、一沉积制造工艺或一离子注入制造工艺的一第一制造工艺；对该MP晶片进行一离子束无屏蔽光刻制造工艺；进行该离子束无屏蔽光刻制造工艺之后，对该MP晶片进行包括一蚀刻制造工艺、一沉积制造工艺或一离子注入制造工艺的一第二制造工艺；以及对该MP晶片进行一接续制造工艺，以制造一最终MP晶片。