单晶硅生长控制方法

摘要

本发明技术是一种单晶硅生长控制方法。采用反射及冷却装置对硅晶棒上920℃ - 700 ℃区域进行降温，使这一区域的长度小于200mm，在提拉硅单晶棒的速度大于1.12 mm/min，使晶棒在这一温度区间的停留时间小于180min，避免OSF缺陷的形成。采用半抛物线弧形面反射硅熔融液的辐射红外线，照射生长界面处的硅单晶棒侧面，降低侧表面降温速度，从而降低硅单晶棒生长界面处中心与表面的温度梯度，使晶片上的氧元素及掺杂元素的径向分布均匀。采用光洁表面反射高温坩埚壁射线，避免对晶棒产生影响。

主权项

一种单晶硅生长控制方法；采用反射及冷却装置竖直面2对硅晶棒上920℃ ‑ 700 ℃区域进行降温，使这一温度区域的长度小于200mm，控制提拉硅单晶棒的速度大于1.12 mm/min，使晶棒在这一温度区间的停留时间小于180min；采用半抛物线弧形面反射硅熔融液的辐射红外线，照射生长界面处的硅单晶棒侧面，降低侧表面的降温速度，从而降低硅单晶棒生长界面处中心与表面的温度梯度；控制反射及冷却装置水平面与熔液的表面距离，提高SiO的扩散速度；采用光洁表面反射高温坩埚壁射线，避免对晶棒产生影响。