| 发明名称 | 一种基于量子阱结构的量子点发光二极管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明适用于显示技术领域，提供了一种基于量子阱结构的量子点发光二极管及其制备方法。所述一种量子点发光二极管，包括依次层叠设置的底电极、量子点发光层和顶电极，所述量子点发光层中的量子点为(Ax1/B/Ax2)n量子阱结构的量子点，其中，所述Ax1、B、Ax2分别表示三种半导体材料层，所述n为≥1的自然数。 | ||
| 申请公布号 | CN105405941A | 申请公布日期 | 2016.03.16 |
| 申请号 | CN201610013171.7 | 申请日期 | 2016.01.06 |
| 申请人 | TCL集团股份有限公司 | 发明人 | 钱磊;曹蔚然;杨一行 |
| 分类号 | H01L33/06(2010.01)I;H01L33/26(2010.01)I;H01L33/28(2010.01)I;H01L33/30(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/06(2010.01)I |
| 代理机构 | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人 | 张全文 |
| 主权项 | 一种量子点发光二极管，包括依次层叠设置的底电极、量子点发光层和顶电极，其特征在于，所述量子点发光层中的量子点为(Ax1/B/Ax2)<sub>n</sub>量子阱结构的量子点，其中，所述Ax1、B、Ax2分别表示三种半导体材料层，所述n为≥1的自然数。 | ||
| 地址 | 516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区 | ||