发明名称 Depósito en fase de vapor de recubrimiento por inmersión en un plasma de arco a baja presión y tratamiento iónico
摘要 Un sistema de recubrimiento que comprende: una cámara (12) de vacío; y un montaje de recubrimiento que incluye: una fuente (16) de vapor que tiene una cara de objetivo con una dimensión larga de fuente de vapor y una dimensión corta de fuente de vapor; un soporte (20) de sustrato para sostener sustratos (22) que van a revestirse de modo que los sustratos (22) estén posicionados en frente de la fuente (16) de vapor, y el soporte (20) de sustrato tiene una dimensión de soporte lineal; un ánodo (44) remoto eléctricamente acoplado al objetivo (28) catódico, y el ánodo (44) remoto tiene una dimensión de ánodo remoto lineal, y la fuente (16) de vapor tiene una dimensión de fuente de vapor lineal; un montaje (18) de cámara catódica que incluye un objetivo (28) catódico, un ánodo (34) primario y un escudo (36) que aísla el objetivo (28) catódico de la cámara (12) de vacío, y el objetivo (28) catódico tiene una dimensión larga de objetivo catódico lineal y una dimensión corta de objetivo catódico lineal, y el escudo (36) define al menos una abertura (38) para transmitir una corriente (40) de emisión de electrones de una descarga de arco remoto desde el objetivo (28) catódico al ánodo (44) remoto que fluye a raudales a lo largo de la dimensión larga de cara objetivo; un suministro (48) de energía primario conectado entre el objetivo (28) catódico y el ánodo (34) primario; y un suministro (52) de energía secundario conectado entre el objetivo (28) catódico y el ánodo (44) remoto , en cuyo caso la dimensión de ánodo remoto lineal y la dimensión corta de fuente de vapor son paralelas a una dimensión en la cual se direcciona un punto de arco a lo largo del objetivo (28) catódico.
申请公布号 ES2563862(T3) 申请公布日期 2016.03.16
申请号 ES20140160153T 申请日期 2014.03.14
申请人 Vapor Technologies, Inc. 发明人 Gorokhovsky, Vladimir;Grant, William;Taylor, Edward
分类号 C23C14/34;C23C14/35;H01J37/32;H01J37/34 主分类号 C23C14/34
代理机构 代理人
主权项
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