| 发明名称 |
薄膜电晶体的氧化物半导体薄膜、薄膜电晶体以及溅镀靶材 |
| 摘要 |
明提供一种氧化物半导体薄膜，其是薄膜电晶体的氧化物半导体薄膜，其具有优异的湿式蚀刻耐性，具体而言，在形成于所述氧化物半导体薄膜上的源极/汲极电极的图案化时，即便将其浸渍于无机酸系或过氧化氢系的酸系蚀刻液中，膜减少亦受到抑制，且表面粗糙化受到抑制。该氧化物半导体薄膜用于薄膜电晶体的所述半导体层，其具有如下特征：包含含有作为金属元素的In、Ga及Sn、以及O的氧化物，所述In、Ga、Sn的各原子数比分别满足0.30≦In/（In+Ga+Sn）≦0.50、0.20≦Ga/（In+Ga+Sn）≦0.30、0.25≦Sn/（In+Ga+Sn）≦0.45，且作为Sn与In的原子数比的Sn/In为0.50以上。 |
| 申请公布号 |
TW201611266 |
申请公布日期 |
2016.03.16 |
| 申请号 |
TW104128025 |
申请日期 |
2015.08.27 |
| 申请人 |
神户制钢所股份有限公司 |
发明人 |
越智元隆;森田晋也;三木绫;后藤裕史 |
| 分类号 |
H01L29/12(2006.01);H01L29/786(2006.01);C01G15/00(2006.01);C23C14/34(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/12(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
叶璟宗;郑婷文;詹富闵 |
| 主权项 |
一种氧化物半导体薄膜，其用于在基板上具备闸极电极、闸极绝缘膜、源极/汲极电极、半导体层及保护膜的薄膜电晶体的所述半导体层，其特征在于： 其包含含有作为金属元素的铟（In）、镓（Ga）及锡（Sn）、以及氧（O）的氧化物，相对于所述铟（In）、镓（Ga）及锡（Sn）的合计的各金属元素的原子数比全部满足下述式（1）～式（3），且作为所述锡（Sn）与铟（In）的原子数比的锡（Sn）/铟（In）为0.50以上， 0.30≦In/（In+Ga+Sn）≦0.50…（1） 0.20≦Ga/（In+Ga+Sn）≦0.30…（2） 0.25≦Sn/（In+Ga+Sn）≦0.45…（3）。 |
| 地址 |
日本 |
