ＤＣ-ＤＣ转换器用半导体装置

摘要

明提高半导体装置之电源电压之转换效率。本发明之非绝缘型DC-DC转换器系具有高侧开关用之功率MOSFET及低侧开关用之功率MOSFET串联地连接之电路者；而于同一半导体晶片5b内形成：低侧开关用之功率MOSFET，及并联地连接于该低侧开关用之功率MOSFET之萧特基障壁二极体D1。萧特基障壁二极体D1之形成区域SDR配置于半导体晶片5b之短方向之，于其两侧配置低侧之功率MOSFET之形成区域。而且从半导体晶片5b之主面之两长边附近之闸极指叉6a，朝向之萧特基障壁二极体D1之形成区域SDR，以夹入该形成区域SDR之方式，延伸配置复数条闸极指叉6b。

主权项

一种DC-DC转换器用半导体装置，其系形成于一个封装者，且包括：第一、第二及第三外部端子；第一半导体晶片，其系形成于前述第一外部端子之上部，且电性连接于前述第一外部端子；第二半导体晶片，其系形成于前述第二外部端子之上部，且电性连接于前述第二外部端子；及驱动器晶片，其控制前述第一及第二半导体晶片；且前述第一半导体晶片包含第一MOSFET，该第一MOSFET包括：第一闸极电极、第一源极及第一汲极；前述第二半导体晶片包含第二MOSFET及萧特基障壁二极体，该第二MOSFET包括：第二闸极电极、第二源极及第二汲极，该萧特基障壁二极体包含阳极及阴极；于前述第一半导体晶片之主面形成有：与前述第一闸极电极电性连接之第一闸极电极用垫、及与前述第一源极电性连接之第一源极电极用垫；于前述第一半导体晶片之背面形成有与前述第一汲极电性连接之第一汲极电极；于前述第二半导体晶片之主面形成有：与前述第二闸极电极电性连接之第二闸极电极用垫、以及与前述第二源极及前述阳极电性连接之第二源极电极用垫；于前述第二半导体晶片之背面形成有与前述第二汲极电性连接之第二汲极电极；前述驱动器晶片包括第一电极用垫及第二电极用垫，前述第
一电极用垫与前述第一闸极电极用垫系藉由第一导体部件而电性连接，且前述驱动器晶片之第二电极用垫与前述第二闸极电极用垫系藉由第二导体部件而电性连接；前述第一源极电极用垫与前述第二外部端子系藉由第一金属板而电性连接；前述第二源极电极用垫与前述第三外部端子系藉由第二金属板而电性连接；前述第二源极电极用垫系以覆盖前述第二源极上及前述阳极上之方式而形成；前述第二金属板系于前述第二源极上及前述阳极上与前述第二源极电极用垫电性连接。