| 发明名称 |
非挥发性静态随机存取记忆体记忆胞、及非挥发性半导体记忆装置 |
| 摘要 |
明之目的在于提供一种可对非挥发记忆体部写入互补性资料，且根据使用状况而亦将个别资料写入于非挥发记忆体部，增加记忆体容量之非挥发性SRAM记忆胞、及非挥发性半导体记忆装置。
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| 申请公布号 |
TW201611193 |
申请公布日期 |
2016.03.16 |
| 申请号 |
TW104124289 |
申请日期 |
2015.07.27 |
| 申请人 |
芙洛提亚股份有限公司 |
发明人 |
谷口泰弘;品川裕;葛西秀男;樱井良多郎;户谷达郎;川嶋泰彦;奥山幸佑 |
| 分类号 |
H01L21/8239(2006.01);G11C11/41(2006.01);G11C16/20(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/8239(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
| 主权项 |
一种非挥发性SRAM记忆胞，其特征在于包含：SRAM(Static Random Access Memory：静态随机存取记忆体)，其具有第1储存节点、及与该第1储存节点互补之第2储存节点；及复数个非挥发记忆体部，其与上述SRAM并联连接；且各上述非挥发记忆体部具有：第1记忆胞，其可于第1记忆体经由第1开关电晶体而与上述第1储存节点电性连接；及第2记忆胞，其可于第2记忆体经由第2开关电晶体而与上述第2储存节点电性连接；且上述第1开关电晶体及上述第2开关电晶体独立进行导通断开动作。
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| 地址 |
日本 |
