发明名称 |
Cu配线之制造方法 |
摘要 |
明之课题在于提供一种Cu配线之制造方法,可抑制于槽渠底形成Cu块而抑制填埋不良。
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申请公布号 |
TW201611184 |
申请公布日期 |
2016.03.16 |
申请号 |
TW104115340 |
申请日期 |
2015.05.14 |
申请人 |
东京威力科创股份有限公司 |
发明人 |
石坂忠大;平泽达郎;佐久间隆;横山敦 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01);C23C16/06(2006.01);C23C14/14(2006.01);C23C14/34(2006.01);H01L21/285(2006.01);H01L21/3205(2006.01);H01L23/52(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
林秋琴;陈彦希;何爱文 |
主权项 |
一种Cu配线之制造方法,系对于具有表面形成了既定图案之槽渠的层间绝缘膜之基板来制造Cu配线者;具有:于至少该槽渠之表面形成防护膜之制程;于该防护膜之表面以CVD来形成Ru膜之制程;以及之后,于Ru膜上形成Cu膜或是Cu合金膜来填埋该槽渠之制程;使用成膜装置实施下述制程,其中该成膜装置系形成该Cu膜或是Cu合金膜之际,于处理容器内配置基板,对处理容器内供给电浆生成气体来生成电浆,从配置在该处理容器内之Cu或是Cu合金所构成之靶释放出由Cu或是Cu合金所构成之粒子,并藉由该处理容器内之电浆生成气体的离子使得由Cu或是Cu合金所构成之粒子离子化,对该基板施加高频偏压,将该电浆生成气体之离子、以及离子化之Cu或是Cu合金所构成之粒子拉引至基板者;最初,实施第1制程,系以所成膜之Cu膜或是Cu合金膜会因该电浆生成气体之离子作用而被再溅镀之条件来进行处理,一边将所成膜之Cu膜或是Cu合金膜予以再溅镀、一边于该槽渠之底部的角落部形成Cu膜或是Cu合金膜;其次,实施第2制程,系以于该基板之场域部形成Cu膜或是Cu合金膜、且该场域部之Cu膜或是Cu合金膜藉由该电浆生成气体之离子的作用而熔流至该槽渠内的条件,于该槽渠内填埋Cu膜或是Cu合金膜。
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地址 |
日本 |