发明名称 处理装置、处理方法及电子装置之制造方法
摘要 明之实施形态之处理装置具备:第1供给部,其将第1流体供给至复数个被处理物之表面;第2供给部,其将包含昇华性物质之流体供给至供给有上述第1流体之上述复数个被处理物之表面;气体供给部,其将气体供给至供给有包含上述昇华性物质之流体之上述复数个被处理物之表面;及昇华部,其使形成于上述复数个被处理物之各表面之包含昇华性物质之层昇华。
申请公布号 TW201611160 申请公布日期 2016.03.16
申请号 TW104123455 申请日期 2015.07.20
申请人 东芝股份有限公司 发明人 佐藤胜広;平林英明
分类号 H01L21/67(2006.01) 主分类号 H01L21/67(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项 一种处理装置,其具备:第1供给部,其将第1流体供给至复数个被处理物之表面;第2供给部,其将包含昇华性物质之流体供给至供给有上述第1流体之上述复数个被处理物之表面;气体供给部,其将气体供给至供给有包含上述昇华性物质之流体之上述复数个被处理物之表面;及昇华部,其使形成于上述复数个被处理物之各表面之包含昇华性物质之层昇华;且上述气体供给部系藉由控制上述复数个被处理物之各表面之上述气体之流速,而控制形成于上述复数个被处理物之各表面之包含上述昇华性物质之层之厚度。
地址 日本