一种二次加料方法

摘要

本发明实施例公开了一种二次加料方法，应用于单晶硅棒的制备过程，包括：在二次加料器中装入n批硅料，每批硅料包括多个硅料层，且在同一批硅料的多个硅料层中，从底部硅料层到顶部硅料层的硅料的最大直径由小到大；将二次加料器中的硅料投入到硅液中。在对硅液投料过程中，避免了投入的杂质过多，杂质浓度超出范围而出现断棱与析晶等事故；而且避免了直接投入大尺寸的硅料时，出现溅料或者漏硅的情况，使二次加料过程安全。

主权项

一种二次加料方法，应用于单晶硅棒的制备过程，其特征在于，包括：A、在二次加料器中装入n批硅料，每批硅料包括多个硅料层，且在同一批硅料的多个硅料层中，从底部硅料层到顶部硅料层的硅料的最大直径由小到大；装入最终硅料层，且所述最终硅料层中硅料的最大直径小于所述第n批硅料的顶部硅料层的硅料的最大直径；所述n为不小于1的整数；B、将二次加料器中的硅料投入到硅液中。