使用微结构化的中子探测器的中子孔隙度测井工具

摘要

一种中子孔隙度测量装置使用位于与腔体相距不同距离的半导体探测器，该腔体配置成容纳中子源。这些半导体探测器的每一个包括（i）半导体衬底（110），其掺杂以形成pn结，并且具有形成为从所述半导体衬底内的第一表面延伸的中子反应材料（120）的微结构，以及（ii）电极（160，170），这些电极的其中之一（160）与半导体衬底的第一表面接触以及该电极中的另一个电极（170）与半导体衬底的第二表面接触，第二表面与第一表面相对。这些电极配置成获取半导体衬底内捕获中子时发生的电信号。

主权项

一种中子孔隙度测量装置，其包括：腔体，其配置成接纳发射中子的中子源；位于与所述腔体相距第一距离的第一半导体探测器；以及位于与所述腔体相距比所述第一距离更大的第二距离的第二半导体探测器，其中所述第一和第二半导体探测器的每一个包括：半导体衬底，其掺杂以形成pn结，并且具有形成为从所述半导体衬底内的第一表面延伸的中子反应材料的微结构，以及电极，所述电极的其中之一与所述半导体衬底的第一表面接触以及所述电极中的另一个电极与所述半导体衬底的第二表面接触，所述第二表面与所述第一表面相对，所述电极配置成获取所述半导体衬底内捕获中子时发生的电信号；电子装置块，其配置成从所述电极接收电信号，所述电子装置块位于所述第一半导体探测器与所述第二半导体探测器之间；所述第一和第二半导体探测器之间的空间内除了所述电子装置块外还填充有中子吸收物。