发明名称 |
鳍部、鳍式场效应管及鳍部和鳍式场效应管的形成方法 |
摘要 |
一种鳍部、鳍式场效应管及鳍部、鳍式场效应管的形成方法,鳍部的形成方法包括:提供衬底;在所述衬底表面形成包含若干第一开口的掩膜层,所述第一开口暴露出衬底;以包含若干第一开口的掩膜层为掩模,刻蚀所述衬底,形成若干凹槽;在所述凹槽内填充隔离层;沿第一开口对掩膜层进行回刻,增大第一开口的宽度,在所述掩膜层内形成若干第二开口;以掩膜层为掩模,沿第二开口刻蚀所述隔离层,使隔离层剩余预定厚度,所述剩余预定厚度的隔离层之间的衬底为第一子鳍部;刻蚀第一子鳍部上方的衬底,形成位于第一子鳍部上的第二子鳍部和位于第二子鳍部上的第三子鳍部。本发明鳍部、鳍式场效应管及其形成方法提高了鳍式场效应管的稳定性。 |
申请公布号 |
CN103578988B |
申请公布日期 |
2016.03.16 |
申请号 |
CN201210254002.4 |
申请日期 |
2012.07.20 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
王新鹏;三重野文健;张海洋 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种鳍部的形成方法,其特征在于,包括:提供衬底;在所述衬底表面形成包含若干第一开口的掩膜层,所述第一开口暴露出衬底;以包含若干第一开口的掩膜层为掩模,刻蚀所述衬底,形成若干凹槽;在所述凹槽内填充隔离层;沿第一开口对掩膜层进行回刻,增大第一开口的宽度,在所述掩膜层内形成若干第二开口;以掩膜层为掩模,沿第二开口刻蚀所述隔离层,使隔离层剩余预定厚度,所述剩余预定厚度的隔离层之间的衬底为第一子鳍部;刻蚀第一子鳍部上方的衬底,形成位于第一子鳍部上的第二子鳍部和位于第二子鳍部上的第三子鳍部,所述第二子鳍部侧壁与第一子鳍部表面的夹角为70~80度,所述第三子鳍部侧壁与第二子鳍部表面的夹角为82度,所述第一子鳍部、第二子鳍部和第三子鳍部构成鳍部。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |