具有嵌镶字线的三维非易失存储单元阵列及其形成方法

摘要

本发明公开了一种具有嵌镶字线的三维非易失存储单元阵列及其形成方法，该存储单元阵列例如是硅的材料线部分氧化形成于非易失存储结构叠层之上，通过自多个部分氧化的硅线的中间部分除去该多个未氧化的硅线，及保留该多个部分氧化的硅线的外侧部分的该多个氧化的线，而形成字线沟道于该部分氧化的材料线之中，字线然后形成于字线沟道中的非易失存储结构叠层之上。

主权项

一种形成一三维非易失存储单元阵列的方法，包含：形成第一多个材料线于多个非易失存储结构叠层之上，该第一多个材料线是通过第一多个字线沟道将该第一多个材料线彼此分隔；通过氧化该第一多个材料线两侧的材料线自该第一多个材料线中产生多个部分氧化的结构，该多个部分氧化的结构包括多条氧化物线与第一多个变窄的材料线接壤，其中该第一多个变窄的材料线中的变窄的材料线具有较该第一多个材料线中的材料线更窄的宽度；除去与该多条氧化物线接壤的该第一多个变窄的材料线，以形成第二多个字线沟道；以及形成多条字线于该第一多个字线沟道及该第二多个字线沟道中的该多个非易失存储结构叠层之上。