| 发明名称 | 半导体元件、在其中增加表面掺杂浓度的方法及形成方法 | ||
| 摘要 | 本文公开了一种半导体元件、在其中增加表面掺杂浓度的方法及形成方法。该半导体元件的形成方法包括：提供一基底；进行一掺杂注入工艺，以在该基底内形成一掺杂区；在进行该掺杂注入工艺之后，对该掺杂区进行一硼掺杂注入；对该硼掺杂注入进行退火；以及在该硼掺杂注入退火之后，在该掺杂区之上形成一硅化物层。本发明的方法可以很容易地与CMOS工艺的流程整合，并且不需要额外复杂的步骤去达到所需的结果。 | ||
| 申请公布号 | CN105405750A | 申请公布日期 | 2016.03.16 |
| 申请号 | CN201510822669.3 | 申请日期 | 2010.12.17 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 黄玉莲;叶茂荣;蔡俊雄;李宗鸿;林大文;郭紫微 |
| 分类号 | H01L21/223(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L29/45(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/223(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 石海霞;李昕巍 |
| 主权项 | 一种形成半导体元件的方法，包括：提供一基底；进行一掺杂注入工艺，以在该基底内形成一掺杂区；在进行该掺杂注入工艺之后，对该掺杂区进行一硼掺杂注入；对该硼掺杂注入进行退火；以及在该硼掺杂注入退火之后，在该掺杂区之上形成一硅化物层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||