| 发明名称 | 光耦合双向可控硅元件 | ||
| 摘要 | 本发明提供能够实现品质稳定化和芯片缩小的光耦合双向可控硅元件，其具有在半导体衬底(11)的表面相互分离地形成有第一、第二光敏晶闸管部(12a、12b)的1个半导体芯片，各光敏晶闸管部具有PNPN部，还具有与阳极扩散区域(13)和阴极扩散区域(15)电连接且与控制极扩散区域(14)绝缘的1个接合焊盘，第一、第二光敏晶闸管部(12a、12b)的PNPN部相对于半导体芯片的中心大致点对称地配置，或者相对于通过中心且与一边平行的线段大致线对称地配置，第一光敏晶闸管部(12a)的接合焊盘(18a)和第二光敏晶闸管部(12b)的接合焊盘(18b)相互分离地配置在上述线段的延伸方向一端侧和另一端侧。 | ||
| 申请公布号 | CN105405876A | 申请公布日期 | 2016.03.16 |
| 申请号 | CN201510484213.0 | 申请日期 | 2015.08.07 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 冈本朋昭;松本浩司 |
| 分类号 | H01L29/747(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/747(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳;池兵 |
| 主权项 | 一种光耦合双向可控硅元件，其特征在于：包括1个半导体芯片，该半导体芯片在具有N型和P型中的一种导电类型的半导体衬底的表面相互分离地形成有第一光敏晶闸管部和第二光敏晶闸管部，所述各光敏晶闸管部具有PNPN部，该PNPN部包括：阳极扩散区域，其具有N型和P型中的另一种导电类型；控制极扩散区域，其与所述阳极扩散区域相对，具有所述另一种导电类型；和阴极扩散区域，其与所述阳极扩散区域相对地形成在该控制极扩散区域内，并且具有所述一种导电类型，所述各光敏晶闸管部还具有1个接合焊盘，该接合焊盘形成在所述各扩散区域的上层，并且与所述阳极扩散区域和所述阴极扩散区域电连接，与所述控制极扩散区域电绝缘，所述第一光敏晶闸管部的所述PNPN部和所述第二光敏晶闸管部的所述PNPN部相对于所述半导体芯片的中心大致点对称地配置，或者相对于通过所述半导体芯片的中心且与所述半导体芯片的一边平行的线段大致线对称地配置，所述第一光敏晶闸管部的所述接合焊盘和所述第二光敏晶闸管部的所述接合焊盘相互分离地配置在所述线段的延伸方向的一端侧和另一端侧。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||