| 发明名称 | 等离激元光子源器件以及产生表面等离激元光子的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种等离激元光子源器件以及产生表面等离激元光子的方法。本发明的产生表面等离激元光子的方法包括：在介质层表面制备一层石墨烯，作为表面等离激元传播载体；在石墨烯上制备一层半导体层，从而使得介质层和半导体层共同构成等离激元光子源的波导层，以限制表面等离激元模式；在半导体层内部形成一层半导体量子点；利用外部激光照射半导体层，使得量子点受激辐射出的光子由于等离激元强耦合作用而转化成在石墨烯中传播的等离激元光子。 | ||
| 申请公布号 | CN105406357A | 申请公布日期 | 2016.03.16 |
| 申请号 | CN201510916835.6 | 申请日期 | 2015.12.10 |
| 申请人 | 上海电机学院 | 发明人 | 钟旭;佘敏敏;黄军伟;宋赣祥 |
| 分类号 | H01S5/34(2006.01)I;H01S5/042(2006.01)I;H01S5/10(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 菅秀君 |
| 主权项 | 一种产生表面等离激元光子的方法，其特征在于包括：第一步骤：在介质层表面制备一层石墨烯，作为表面等离激元传播载体；第二步骤：在石墨烯上制备一层半导体层，从而使得介质层和半导体层共同构成等离激元光子源的波导层，以限制表面等离激元模式；第三步骤：在半导体层内部形成一层半导体量子点；第四步骤：利用外部激光照射半导体层，使得量子点受激辐射出的光子由于等离激元强耦合作用而转化成在石墨烯中传播的等离激元光子。 | ||
| 地址 | 200240 上海市闵行区江川路690号 | ||