发明名称 控制晶片在压塑成型时翘曲的方法及使用该方法的制品
摘要 本发明提供这样的多层结构,其在某些组分固化时翘曲的倾向减小。一方面,提供包含多个上述多层结构的多层组件。另一方面,提供用于减小晶片在其上所施用的模塑组合物固化时翘曲的方法。又一方面,提供制备在固化时基本没有翘曲的晶片的方法。
申请公布号 CN105408995A 申请公布日期 2016.03.16
申请号 CN201480039589.4 申请日期 2014.07.08
申请人 汉高知识产权控股有限责任公司 发明人 T·塔卡诺;G·黄
分类号 H01L23/28(2006.01)I 主分类号 H01L23/28(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 于辉
主权项 多层结构,其包含:硅层,所述硅层在其一个面上包含多个芯片且在所述芯片下面包含底部填充层,施用至与所述多个芯片同一面的可固化模塑配制物,以及施用至所述模塑配制物的增强元件,其中所述增强元件的热膨胀系数(CTE)与所述硅层的热膨胀系数足够接近,以便使所述结构在所述模塑配制物固化时的翘曲最小。
地址 德国杜塞尔多夫