发光二极体晶粒及其制造方法

摘要

发光二极体晶粒，包括基板、依次形成在基板上表面的第一半导体层、有源层、第二半导体层及透明导电层，第一电极以及第二电极分别形成在第一半导体层及透明导电层上，所述第一半导体层上开设有多个间隔的凹槽，所述凹槽的深度随着与第一电极之间的距离变大而变浅，所述透明导电层包括多个穿设在第二半导体层中、且分别与第一半导体层的凹槽对应的间隔设置的延伸部，所述延伸部的导电能力沿靠近第二电极的方向依次变小。本发明还涉及所述发光二极体晶粒的制造方法。

主权项

一种发光二极体晶粒，包括基板、依次形成在基板上表面的第一半导体层、有源层、第二半导体层及透明导电层，第一电极以及第二电极分别形成在第一半导体层及透明导电层上，其改良在于：所述第一半导体层上开设有多个间隔的凹槽，所述凹槽的深度沿远离第一电极的方向依次变小，所述透明导电层包括多个穿设在第二半导体层中、且分别与第一半导体层的凹槽对应的间隔设置的延伸部，所述延伸部的导电能力沿靠近第二电极的方向依次变小。