具有改质表面之薄膜光电子装置的制造方法

摘要

明关于一种制造薄膜光电子装置(100)之方法(200)，该方法包括：提供基板(110)、形成背接触层(120)；形成至少一个由ABC硫族化合物材料制成的吸收剂层(130)，添加至少一种硷金属(235)、及在该吸收剂层表面形成至少一个凹穴(236，610，612，613)，其中该至少一个凹穴之形成系藉由从该吸收剂层的该表面溶掉至少一个包含至少一个含有至少一种硷金属之硷晶体的晶体聚集体来进行。方法(200)有利于更环保地以高光伏打转换效率与更快制造速率在挠性基板上制造光伏打装置(100)。

主权项

一种制造薄膜光电子装置(100)之方法(200)，该方法包括：提供基板(210，110)；形成背接触层(220，120)；形成至少一个吸收剂层(230，130)，该吸收剂层系由ABC硫族化合物材料制成，包括ABC硫族化合物材料三元、四元、五元或多元变化，其中A表示国际纯化学暨应用化学联合会(International Union of Pure and Applied Chemistry)所界定之化学元素周期表的第11族元素，包括Cu及Ag，B表示周期表第13族中之元素，包括In、Ga及Al，而C表示周期表第16族中之元素，包括S、Se及Te；添加至少一种硷金属；及在该吸收剂层(130)表面形成至少一个凹穴(236，610，612，613)；其中该至少一个凹穴之形成系藉由从该吸收剂层的该表面溶掉至少一个包含至少一个含有至少一种硷金属之硷晶体的晶体聚集体来进行。