| 发明名称 |
氧化物烧结体、溅镀靶及薄膜以及氧化物烧结体的制造方法 |
| 摘要 |
明为一氧化物烧结体，其由锌(Zn)、铟(In)、钛(Ti)、镓(Ga)、锗(Ge)、及氧(O)构成，其中以ZnO换算Zn含量为70~90mol%，以In2O3换算In含量为2~15mol%，以TiO2换算Ti含量为1~10mol%，以Ga2O3换算Ga含量为0.5~10mol%，以GeO2换算Ge含量为0.5~10mol%。藉由本发明，体电阻率低，可进行直流溅镀，可形成具备所欲之折射率及透射率的透明导电膜。
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| 申请公布号 |
TW201609603 |
申请公布日期 |
2016.03.16 |
| 申请号 |
TW103141770 |
申请日期 |
2014.12.02 |
| 申请人 |
ＪＸ日鑛日石金属股份有限公司 |
发明人 |
奈良淳史 |
| 分类号 |
C04B35/453(2006.01);C23C14/08(2006.01);C23C14/34(2006.01) |
主分类号 |
C04B35/453(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
阎启泰;林景郁 |
| 主权项 |
一种氧化物烧结体，其由锌(Zn)、铟(In)、钛(Ti)、镓(Ga)、锗(Ge)、及氧(O)构成，以ZnO换算，Zn含量为70~90mol%，以In2O3换算，In含量为2~15mol%，以TiO2换算，Ti含量为1~10mol%，以Ga2O3换算，Ga含量为0.5~10mol%，以GeO2换算，Ge含量为0.5~10mol%。
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| 地址 |
日本 |
