| 发明名称 | 分散有C粒子的Fe-Pt型溅射靶 | ||
| 摘要 | 一种磁记录膜用溅射靶，其特征在于，Pt为5摩尔％以上且60摩尔％以下，C为0.1摩尔％以上且40摩尔％以下，二氧化钛为0.05摩尔％以上且20摩尔％以下，其余由Fe构成。本发明的课题在于提供能够在不使用昂贵的同时溅射装置的情况下制作颗粒结构磁性薄膜并且使溅射时产生的粉粒量减少的高密度的溅射靶。 | ||
| 申请公布号 | CN103930592B | 申请公布日期 | 2016.03.16 |
| 申请号 | CN201280056247.4 | 申请日期 | 2012.12.18 |
| 申请人 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 发明人 | 荻野真一;佐藤敦;中村祐一郎 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C22C5/04(2006.01)I;C22C32/00(2006.01)I;C22C33/02(2006.01)I;C22C38/00(2006.01)I;B22F3/10(2006.01)I;B22F3/14(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 王海川;穆德骏 |
| 主权项 | 一种磁记录膜用溅射靶，其特征在于，Pt为5摩尔％以上且60摩尔％以下，C为0.1摩尔％以上且40摩尔％以下，二氧化钛为0.05摩尔％以上且20摩尔％以下，其余由Fe构成。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||