| 发明名称 | 低压双向保护二级管 | ||
| 摘要 | 一种垂直双向保护二极管，包括，在第一导电类型的重掺杂衬底上的第一、第二和第一导电类型的第一、第二和第三区域，这些区域的掺杂级都大于2到5x10<sup>19</sup>atoms/cm<sup>3</sup>，并且被绝缘沟道横向分隔，这些区域中的每一个区域的厚度都小于4μm。 | ||
| 申请公布号 | CN102130183B | 申请公布日期 | 2016.03.16 |
| 申请号 | CN201010561335.2 | 申请日期 | 2010.11.18 |
| 申请人 | 意法半导体(图尔)公司 | 发明人 | 本杰明·莫里永 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/861(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 王茂华;董典红 |
| 主权项 | 一种垂直双向保护二极管，其包括，在第一导电类型的重掺杂衬底(1)上的第一导电类型的第一(3)区域、第二导电类型的第二(4)区域和第一导电类型的第三(5)区域，这些区域的掺杂级都大于2x10<sup>19</sup>atoms/cm<sup>3</sup>，并且被绝缘沟道(7)横向分隔，这些区域中的每一个区域的厚度都小于4μm。 | ||
| 地址 | 法国图尔 | ||