记忆元件及其制造方法

摘要

本发明是有关于一种记忆元件及其制造方法。该记忆元件包括栅极、栅介电层及二电荷储存层。栅极位于基底上。栅介电层位于栅极与基底之间。栅介电层的宽度小于栅极，而在栅介电层两侧、栅极下方及基底上方形成一空隙。各电荷储存层包括主体部、第一延伸部与第二延伸部。各主体部位于各空隙中。各第一延伸部与各主体部连接并突出于各栅极的侧壁。各第二延伸部与所对应的各第一延伸部连接，且向上延伸至栅极侧壁，其中第一延伸部的边缘区域突出于所对应的第二延伸部的侧壁。藉此本发明可以提供定位的电荷储存区域，使电荷可以完全定位化储存，减少第二位元效应，减少编程干扰行为，并且可以减少短通道效应。本发明还提供了一种记忆元件的制造方法。

主权项

一种记忆元件，其特征在于其包括：一栅极，位于一基底上；一栅介电层，位于该栅极与该基底之间，其中在该栅介电层两侧、该栅极下方及该基底上方具有一空隙；以及二电荷储存层，各该电荷储存层包括一主体部、一第一延伸部与一第二延伸部，各该主体部位于各该空隙中,各该第一延伸部与各该主体部连接并且突出于该栅极的侧壁，各第二延伸部与所对应的该第一延伸部连接,且向上延伸至该栅极的侧壁，其中各该第一延伸部的边缘区域突出于所对应的各该第二延伸部的侧壁，且该主体部的长度与该第一延伸部的长度的比值为2:1至5:1。