发明名称 光刻对准精度检测方法
摘要 一种光刻对准精度检测方法,包括:在晶圆上形成工艺区和测试区;对所述工艺区和测试区进行光刻和刻蚀;完成当前层的光刻之后,在测试区找到相应的对准标识,对对准标识旁边未作标记的对准图形做对准精度测试;完成对上一层的对准精度测试后,在进行当前层光刻的同时,在测试过的对准图形上作标记。在不增加额外的成本的情况下,操作人员能够准确的将对准图形和对准标识相对应,提高了产品的良率。
申请公布号 CN102522360B 申请公布日期 2016.03.16
申请号 CN201110436380.X 申请日期 2011.12.22
申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司 发明人 李钢;顾以理;孙贤波;钟政;张迎春;夏建慧;李扬环;刘夏英
分类号 H01L21/68(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I 主分类号 H01L21/68(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 骆苏华
主权项 一种光刻对准精度检测方法,包括:在半导体衬底上依次形成各层半导体结构,所述各层半导体结构通过光刻和刻蚀工艺获得;其中,每一层半导体结构的图形分为相对应的工艺区和测试区,所述测试区的对准精度与所述工艺区的对准精度相同;对测试区的对准精度进行测试;根据对测试区的对准精度的测试结果,检测测试区相对应的工艺区的对准精度;其特征在于,所述测试区包括对准标识和对准图形,所述对准标识用于显示测试区所对应的层,所述对准图形作为对准精度测试的图形;每形成一层结构对应的工艺区和测试区后,开始对当前层进行所述对准精度测试;在上一层的所述对准精度测试完成后,形成当前层结构的工艺区和测试区的同时,在测试区中已完成对准精度测试的对准图形上形成标记;在测试区找到相应的对准标识,对对准标识旁边未作标记的对准图形进行对准精度测试。
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