发明名称 |
光刻对准精度检测方法 |
摘要 |
一种光刻对准精度检测方法,包括:在晶圆上形成工艺区和测试区;对所述工艺区和测试区进行光刻和刻蚀;完成当前层的光刻之后,在测试区找到相应的对准标识,对对准标识旁边未作标记的对准图形做对准精度测试;完成对上一层的对准精度测试后,在进行当前层光刻的同时,在测试过的对准图形上作标记。在不增加额外的成本的情况下,操作人员能够准确的将对准图形和对准标识相对应,提高了产品的良率。 |
申请公布号 |
CN102522360B |
申请公布日期 |
2016.03.16 |
申请号 |
CN201110436380.X |
申请日期 |
2011.12.22 |
申请人 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
李钢;顾以理;孙贤波;钟政;张迎春;夏建慧;李扬环;刘夏英 |
分类号 |
H01L21/68(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/68(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种光刻对准精度检测方法,包括:在半导体衬底上依次形成各层半导体结构,所述各层半导体结构通过光刻和刻蚀工艺获得;其中,每一层半导体结构的图形分为相对应的工艺区和测试区,所述测试区的对准精度与所述工艺区的对准精度相同;对测试区的对准精度进行测试;根据对测试区的对准精度的测试结果,检测测试区相对应的工艺区的对准精度;其特征在于,所述测试区包括对准标识和对准图形,所述对准标识用于显示测试区所对应的层,所述对准图形作为对准精度测试的图形;每形成一层结构对应的工艺区和测试区后,开始对当前层进行所述对准精度测试;在上一层的所述对准精度测试完成后,形成当前层结构的工艺区和测试区的同时,在测试区中已完成对准精度测试的对准图形上形成标记;在测试区找到相应的对准标识,对对准标识旁边未作标记的对准图形进行对准精度测试。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 |