| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种半导体器件（1），其具有半导体层（21-25）和衬底（2）。半导体层（21-25）由碳化硅制成，并且包括电流路径的至少一部分。衬底（2）具有用于支承半导体层（21-25）的第一表面（2A）和面对第一表面（2A）的第二表面（2B）。另外，衬底（2）由具有4H型单晶结构的碳化硅制成。并且，衬底（2）具有在光致发光测量时，在500nm附近波长处的峰强度与在390nm附近波长处的峰强度的比率为0.1或更小的物理特性。所公开的方法得到具有低导通电阻的半导体器件（1）。 | ||
| 申请公布号 | CN102812537B | 申请公布日期 | 2016.03.16 |
| 申请号 | CN201080065662.7 | 申请日期 | 2010.12.20 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 原田真;佐佐木信;西口太郎;冲田恭子;和田圭司;宫崎富仁 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 李兰;孙志湧 |
| 主权项 | 一种具有电流路径的半导体器件(1)，包括：半导体层(21‑25)，所述半导体层(21‑25)构成所述电流路径的至少一部分并且由碳化硅制成；以及衬底(2)，所述衬底(2)具有支承所述半导体层的第一表面(2A)和与所述第一表面相反的第二表面(2B)，所述衬底(2)由具有4H型单晶结构的碳化硅制成，并且具有在室温下进行的光致发光测量中在500nm附近波长处的峰强度与390nm附近波长处的峰强度的比率为0.1或更小的物理特性，其中，所述衬底在所述第二表面具有所述物理特性。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||