发明名称 |
一种彩色晶硅电池的制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种彩色晶硅电池的制备方法,涉及晶体硅太阳电池制造领域,采用以下步骤:1.一次或多次制得太阳电池彩色减反膜(非蓝色减反膜,厚度≥110nm)。2.通过化学腐蚀,精准地去除特定区域的彩色减反膜。3.经过丝网印刷制备电池的正反电极及背电场,制得彩色晶硅电池。4.该方法对于彩色单、多晶晶硅电池均适用。5.本方法可以有效解决彩色晶硅电池的欧姆接触差及电极焊接拉力不良的问题。本发明涉及的彩色晶硅电池制备方法,可大大提高彩色晶硅电池颜色一致性。该方法工艺较为简单,可操作性强,可适用于规模生产,电池外观及可靠性满足市场客户要求,具备广阔的应用和市场开拓潜力。 |
申请公布号 |
CN105405919A |
申请公布日期 |
2016.03.16 |
申请号 |
CN201410461002.0 |
申请日期 |
2014.09.11 |
申请人 |
上海神舟新能源发展有限公司 |
发明人 |
赵钰雪;赵晨;郑飞;张忠卫;阮忠立;石磊 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
上海科盛知识产权代理有限公司 31225 |
代理人 |
林君如 |
主权项 |
一种彩色晶硅电池的制造方法,该方法采用以下步骤:(1)将经过制绒、扩散、刻蚀处理的硅片置于PECVD镀膜设备中,调节SiH<sub>4</sub>∶NH<sub>3</sub>1∶1~1∶10的流量比为之间,一次或多次在硅片上镀各种颜色且厚度≥110nm的减反膜;(2)将镀有彩色减反膜的硅片,经过化学腐蚀,精准地去除特定区域的彩色减反膜至10~100nm的厚度;(3)化学腐蚀后的彩色硅片经超声清洗完全去除化学腐蚀物及硅屑杂质后甩干;(4)甩干后的彩色硅片,经过丝网印刷制备得到正面电极及背电场,烧结后得到彩色电池片。 |
地址 |
201112 上海市闵行区三鲁公路719弄58号315室K座 |