| 发明名称 | 一种刻蚀碳化硅的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及碳化硅器件制造技术领域，尤其涉及用碳化硅沟槽型器件的制备过程。本发明提供了一种刻蚀碳化硅的方法，所述方法包括如下步骤：步骤B：在与碳化硅需要刻蚀的区域同一面上的不需要刻蚀的区域的表面生长掩膜层；步骤C：对所述需要刻蚀的区域进行刻蚀，得到碳化硅栅槽；步骤D：使用气体对所述栅槽退火，其中，所述气体包括含氯的气体和氧化性气体，以及任选地载体气体，其中所述载体气体包括氦气、氖气、氩气、氪气和氙气中的一种；步骤E：去除所述掩膜层。 | ||
| 申请公布号 | CN105405749A | 申请公布日期 | 2016.03.16 |
| 申请号 | CN201510730587.6 | 申请日期 | 2015.11.02 |
| 申请人 | 株洲南车时代电气股份有限公司 | 发明人 | 赵艳黎;吴煜东;李诚瞻;史晶晶;陈喜明;丁荣军 |
| 分类号 | H01L21/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人 | 刘烽;吴大建 |
| 主权项 | 一种刻蚀碳化硅的方法，所述方法包括如下步骤：步骤B：在与碳化硅需要刻蚀的区域的同一面上的不需要刻蚀的区域生长掩膜层；步骤C：对所述需要刻蚀的区域进行刻蚀，得到碳化硅栅槽；步骤D：使用气体对所述碳化硅栅槽退火，其中，所述气体包括含氯的气体和氧化性气体，以及任选地载体气体，其中所述载体气体包括氦气、氖气、氩气、氪气和氙气中的一种；步骤E：去除所述掩膜层。 | ||
| 地址 | 412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号 | ||