一种柔性纳米线栅型透明导电电极的制作方法

摘要

本发明公开了一种柔性纳米线栅型透明导电电极的制作方法，与已有技术相比，本发明制作的柔性透明电极的导电线栅结构，有选择性电沉积过程生长而成，最小线宽可达几十纳米。但电沉积形成的纳米线栅本身电导率较高，即便线栅宽度和厚度仅为几十纳米，仍然能保证较低的方阻值。本发明提出的柔性透明电极的制作方法，不仅可以制作单一功能电极，更可以通过在纳米转印模具表面沉积不同的材料层，经过多次转印过程制作多层复合电极、或者制作具有不同导电功能区的透明电极。

主权项

一种柔性纳米线栅型透明导电电极的制作方法，包括以下步骤：第一步、制作微纳线栅型(线宽50nm‑1um)沟槽：在柔性金属基板或者金属化的柔性基板上制作微纳米线栅型网络沟槽；第二步、在线栅型沟槽的内部生长导电材料层：通过电沉积过程，在所述线栅型沟槽的内部生长导电材料层，即生成导电线栅结构；第三步、第一次转移：将生长出的导电材料层转移至柔性转移基底上，得到柔性转印模具；第四步、第二次电沉积：对承载有导电线栅结构的柔性转移基底即柔性转印模具进行第二次电沉积过程，导电材料会在第一次的导电材料层上继续生长，形成转印材料层；第五步、第二次转移：把转印材料层转移至柔性透明基底上，获得柔性纳米线栅型透明导电电极。