横向功率半导体晶体管

摘要

本发明一般涉及例如在集成电路中的横向功率半导体晶体管。特别地，本发明涉及横向绝缘栅双极晶体管或其他横向双极设备例如PIN二极管。本发明还一般涉及增加横向双极功率半导体晶体管的开关速度的方法。本发明提供了横向双极功率半导体晶体管，其包括与阳极/漏极区横向间隔的第一导电型的第一悬浮半导体区和横向邻近于第一悬浮半导体区的第二导电型的第二悬浮半导体区，以及设置在第一悬浮半导体区和第二悬浮半导体区上面且与第一悬浮半导体区和第二悬浮半导体区直接接触的悬浮电极。

主权项

一种横向双极功率半导体晶体管，包括：第一导电型的接触区，其位于第二相反导电型的第一半导体区内；第二导电型的源区，其位于第一导电型的第二半导体区内；第二导电型的横向漂移区，其设置在第一半导体区与第二半导体区之间，该横向漂移区在该晶体管的关闭状态阻断模式期间在击穿电压下耗尽载流子，并能够在该晶体管的导通状态导通模式期间传导电荷；栅极，其位于第二半导体区上面且与第二半导体区直接接触，该栅极用于控制该横向漂移区与第二导电型的源区之间的沟道区中的电荷，并因此用于控制在该横向漂移区内的电荷的流动；第一导电型的第一悬浮半导体区，其位于第一导通区内，横向于该接触区间隔，且比第二导电型的第一半导体区具有更高的掺杂浓度；第二导电型的第二悬浮半导体区，其位于该第一半导体区内，横向邻近于该第一悬浮半导体区，且具有比第二导电型的第一半导体区更高的掺杂浓度，以及悬浮电极，其位于第一悬浮半导体区和第二悬浮半导体区上面，且与第一悬浮半导体区和第二悬浮半导体区直接接触。