发明名称 |
氧化硅玻璃坩埚及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种能够抑制填充在坩埚内部的硅熔液的熔液面振动,并且,寿命长的单晶硅拉晶用氧化硅玻璃坩埚及其制造方法。本发明的单晶硅拉晶用氧化硅玻璃坩埚,其具有周壁部、弯曲部及底部,其中,在周壁部内面的特定区域上设置有多个微小凹部。 |
申请公布号 |
CN102762781B |
申请公布日期 |
2016.03.16 |
申请号 |
CN201080008271.1 |
申请日期 |
2010.12.14 |
申请人 |
日本超精石英株式会社 |
发明人 |
须藤俊明;岸弘史;铃木江梨子 |
分类号 |
C30B29/06(2006.01)I;C03B20/00(2006.01)I;C30B15/10(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/06(2006.01)I |
代理机构 |
上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 |
代理人 |
翟羽 |
主权项 |
一种单晶硅拉晶用氧化硅玻璃坩埚的制造方法,其中,该单晶硅拉晶用氧化硅玻璃坩埚具有周壁部、弯曲部及底部,并且,其形成为以天然氧化硅玻璃层为外层以及以合成氧化硅玻璃层为内层的两层结构,该方法的特征在于包括:形成由天然氧化硅粉构成的外层的工序;在上述外层的内面上形成由合成氧化硅粉构成的内层的工序;从上述内层的内面侧产生电弧放电来熔化上述氧化硅粉末,并形成具有周壁部、弯曲部及底部的氧化硅玻璃坩埚的工序;在该氧化硅玻璃坩埚的形成工序之后,在特定区域形成多个微小凹部的工序;以及除去或解除在上述微小凹部形成工序中被导入的加工变形的工序,上述除去或解除加工变形的工序包括对上述氧化硅玻璃坩埚在1200~1400℃的范围内进行热处理的工序,上述除去或解除加工变形的工序包括对上述氧化硅玻璃坩埚进行酸处理的工序,上述酸处理工序包括将上述氧化硅玻璃坩埚一次~十次浸渍于氟化氢酸水溶液中的工序,上述氟化氢浓度为20%~30%的范围;设上述氧化硅玻璃坩埚的高度为H时,上述特定区域位于从上述底部测量的高度为0.60H~0.90H的区域内;在上述特定区域中,在上述氧化硅玻璃坩埚的高度方向上的每一个以0.2mm~4.0mm范围内的间隔划分的圆环状内面部位上,具有至少1个上述微小凹部;上述微小凹部的平均直径是10μm~300μm;上述微小凹部的平均深度是上述周壁部的坩埚厚度的0.10%~30%;上述微小凹部的平均直径与上述微小凹部的平均深度之比小于0.7;对于设置在上述特定区域上的上述微小凹部注入结晶促进剂。 |
地址 |
日本秋田县秋田市茨島5-14-3 |