MOS晶体管的结构及其形成方法

摘要

本发明的实施例提供了一种MOS晶体管，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的栅绝缘层；位于所述栅绝缘层表面的栅电极层；位于所述栅绝缘层和栅电极层两侧、且位于所述半导体衬底表面的侧墙；及位于所述栅绝缘层和栅电极层两侧、且位于所述半导体衬底内的源/漏极；位于所述栅绝缘层底部的半导体衬底内的掺杂层。相应的，本发明的实施例还提供了上述MOS晶体管的形成方法，本发明实施例的MOS晶体管载流子的迁移率高，栅极稳定性好。

主权项

一种MOS晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有栅绝缘层、位于所述栅绝缘层表面的伪栅电极层、位于所述栅绝缘层和伪栅电极层两侧的半导体衬底表面的侧墙、及位于所述栅绝缘层和伪栅电极层两侧的半导体衬底内的源/漏极；其特征在于，还包括：形成覆盖所述半导体衬底和所述侧墙的介质层，所述介质层与所述伪栅电极层的表面齐平；去除所述伪栅电极层，形成暴露出所述栅绝缘层的开口；在所述开口正下方的半导体衬底内形成掺杂层，所述掺杂层的形成工艺为离子注入工艺；所述离子注入工艺中注入的离子包括N⁺、F^—中的一种或N⁺、C⁺、F^—中多种的组合；在所述开口内形成位于所述栅绝缘层表面的栅电极层；去除所述介质层，暴露出所述半导体衬底和侧墙。