一种应用于多芯片T/R组件封装壳体的高硅铝复合材料的镀金方法

摘要

本发明公开了一种应用于多芯片T/R组件封装壳体的高硅铝复合材料的镀金方法，该方法的前处理按常规铝合金电镀二次浸锌处理方法分为清洗除油、碱蚀、出光、一次浸锌、退锌和二次浸锌六个步骤；之后的操作步骤如下：1.在化学镀镍液中预镀化学镍；2.按常规镀镍方法第一次镀镍，镍层厚度2~3微米；3.时效处理；4.活化处理；5.按常规镀镍方法第二次镀镍，镍层厚度2~3微米；6.以纯金板或铂金钛网作为阳极，高硅铝复合材料为阴极，按常规镀纯金的方法，金层厚度2~3微米；7.镀层结合力检测。10倍放大镜下观察镀层无起皮鼓泡现象，镀层结合力很好。

主权项

一种应用于多芯片T/R组件封装壳体的高硅铝复合材料的镀金方法，包括前处理，所述前处理按常规铝合金电镀二次浸锌处理方法分为六个步骤：清洗除油、碱蚀、出光、一次浸锌、退锌和二次浸锌，其特征在于：前处理后的具体操作步骤如下：1）预镀化学镍：将前处理后的零件放入化学镀镍液中预镀，温度88～‑95℃条件下，预镀时间25分钟；2）第一次镀镍：按常规镀镍方法，在常规镀镍溶液中镀镍，镍层厚度2~3微米，取出，清洗，干燥；3）时效处理：将步骤2）镀好镍的零件放入真空炉进行时效处理，时效处理温度为365±5℃，保温1小时，真空度1.1×10^‑3 Pa，随炉升温，随炉冷却后，取出；4）活化：将步骤3）处理后的零件放入活化液中，温度20~25℃条件下，浸泡30~40秒；5）第二次镀镍：按常规镀镍方法，将步骤4）处理后的零件在常规镀镍溶液中镀镍，镍层厚度2~3微米，取出，清洗；6）镀金：以铂金钛网作为阳极，高硅铝复合材料为阴极，按常规镀纯金的方法，对步骤5）处理后的零件进行镀金，金层厚度2~3微米；所述高硅铝复合材料为Al‑30Si复合基材；7）镀层结合力检测：采用淬火法检验，将6）处理后的零件随炉升温至300℃，随后置于450℃±10℃马弗炉中烘烤2分钟，取出，冷却至室温，10倍放大镜下观察镀层无起皮鼓泡现象，镀层结合力很好，镀层与高硅铝基材结合力牢固达到GJB1420《半导体集成电路外壳总规范》附录A规定的标准。