| 发明名称 | 一种刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种刻蚀方法，包括：用于对用来制造沟槽VDMOS器件的第一半成品进行加工，所述第一半成品包括有第一衬底，以及在所述第一衬底上形成的外延层，在所述外延层中至少形成有第一体区，在所述第一体区中至少形成有第一源区及与所述第一源区相邻的第二源区，以及通过在所述第一源区向下刻蚀形成的第一沟槽和通过在所述第二源区向下刻蚀形成的第二沟槽，所述方法包括：在所述第一半成品的上表面生长栅氧层及第一多晶硅层；减薄所述第一多晶硅层，以形成一预设厚度的剩余多晶硅层；对所述剩余多晶硅层进行光刻及刻蚀，以至少在所述第一沟槽形成第一多晶硅栅极以及在所述第二沟槽形成第二多晶硅栅极。 | ||
| 申请公布号 | CN105405762A | 申请公布日期 | 2016.03.16 |
| 申请号 | CN201410281023.4 | 申请日期 | 2014.06.20 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 赵圣哲 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种刻蚀方法，用于对用来制造沟槽VDMOS器件的第一半成品进行加工，所述第一半成品包括有第一衬底，以及在所述第一衬底上形成的外延层，在所述外延层中至少形成有第一体区，在所述第一体区中至少形成有第一源区及与所述第一源区相邻的第二源区，以及通过在所述第一源区向下刻蚀形成的第一沟槽和通过在所述第二源区向下刻蚀形成的第二沟槽，其特征在于，所述方法包括：在所述第一半成品的上表面生长栅氧层及第一多晶硅层；减薄所述第一多晶硅层，以形成一预设厚度的剩余多晶硅层；对所述剩余多晶硅层进行光刻及刻蚀，以至少在所述第一沟槽形成第一多晶硅栅极以及在所述第二沟槽形成第二多晶硅栅极。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦5层 | ||