| 发明名称 |
溶解抑制剂、包含该溶解抑制剂之厚膜用的化学增幅光抗蚀剂组成物、使用上述之半导体元件用的图案化方法 |
| 摘要 |
明是关于一种溶解抑制剂、一种包含所述溶解抑制剂之厚膜用的化学增幅光抗蚀剂组成物以及一种使用上述之半导体元件用的图案化方法。根据本发明之溶解抑制剂，特定言之在使用i线UV作为光源之光微影法中可增加光抗蚀剂组成物之曝光部分与非曝光部分之间的溶解度差异，不影响照射光源之透射率，因此允许恒定光量在垂直方向上达至所述光抗蚀剂，且可改良图案之线边缘粗糙度及直度。 |
| 申请公布号 |
TW201609621 |
申请公布日期 |
2016.03.16 |
| 申请号 |
TW104119919 |
申请日期 |
2015.06.22 |
| 申请人 |
LG 化学股份有限公司 |
发明人 |
吴东炫;安庆昊;金璟晙;成惠兰;金瑜娜 |
| 分类号 |
C07C43/205(2006.01);C07D407/14(2006.01);G03F7/004(2006.01);G03F7/039(2006.01);H01L21/027(2006.01) |
主分类号 |
C07C43/205(2006.01) |
| 代理机构 |
|
代理人 |
叶璟宗;郑婷文;詹富闵 |
| 主权项 |
一种化学增幅厚膜光抗蚀剂用之溶解抑制剂，由以下化学式1表示： [化学式1]在化学式1中， X1
、X2
及X3
独立地为-OR或-COOR，及 R为氢、、、、C1-10烷基或C1-10烷氧基。 |
| 地址 |
南韩 |
