| 发明名称 | 一种硅通孔结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明针对现有硅通孔结构中因电镀的金属与硅衬底之间热膨胀系数不匹配而导致在所电镀的金属与硅衬底之间产生应力的缺陷，提供一种能够有效缓解该应力的硅通孔结构。本发明提供一种硅通孔结构，该硅通孔结构包括主体部分和位于该主体部分的周边且与该主体部分贯通的应力释放槽，其中，所述主体部分中镀有金属，所述应力释放槽的至少一部分中不镀有金属。 | ||
| 申请公布号 | CN102938396B | 申请公布日期 | 2016.03.16 |
| 申请号 | CN201210441411.5 | 申请日期 | 2012.11.07 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 蔡坚;李金睿;谭琳;王谦;陈瑜;王水弟 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人 | 肖冰滨;南毅宁 |
| 主权项 | 一种硅通孔结构，该硅通孔结构包括主体部分和位于该主体部分的周边且与该主体部分贯通的应力释放槽，其中，所述主体部分中镀有金属，所述应力释放槽的至少一部分中不镀有金属。 | ||
| 地址 | 100084 北京市海淀区清华园1号 | ||