发明名称 静电放电强度输入输出驱动电路
摘要 本发明揭示一种静电放电强度输入输出驱动电路。具体实施例包括:提供有第一源极、第一漏极及第一栅极的第一NMOS晶体管;使该第一源极耦合至接地导轨,以及该第一漏极耦合至输入/输出焊垫;提供栅极驱动控制电路,其包含有第二源极、第二漏极及第二栅极的第二NMOS晶体管;以及使该第二漏极耦合至该第一栅极,该第二源极耦合至该接地导轨,其中在出现于由该输入/输出焊垫至该接地导轨的ESD事件期间,该栅极驱动控制电路提供接地电位给该第一栅极。
申请公布号 CN103456721B 申请公布日期 2016.03.16
申请号 CN201310205629.5 申请日期 2013.05.29
申请人 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司 发明人 赖大伟;林盈彰
分类号 H01L23/60(2006.01)I;H02H9/00(2006.01)I 主分类号 H01L23/60(2006.01)I
代理机构 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人 程伟;王锦阳
主权项 一种驱动电路,其包含:第一NMOS晶体管,其具有第一源极、第一漏极及第一栅极,其中,该第一源极耦合至接地导轨,以及该第一漏极耦合至输入/输出焊垫;以及栅极驱动控制电路,其包含具有第二源极、第二漏极及第二栅极的第二NMOS晶体管,其中,该第二漏极耦合至该第一栅极,该第二源极耦合至该接地导轨,以及在出现于由该输入/输出焊垫至该接地导轨的ESD事件期间,该栅极驱动控制电路提供接地电位至该第一栅极;以及ESD箝制电路,其包含具有第三源极、第三漏极及第三栅极的第三NMOS晶体管,其中,该第二和该第三栅极耦合。
地址 新加坡新加坡城