用于集成装置的释放化学物质保护

摘要

本申请涉及用于集成装置的释放化学物质保护，其提供保护CMOS层免于暴露于释放化学物质的系统和方法。该释放化学物质被用于释放与CMOS晶圆集成的微机电(MEMS)装置。在互补金属氧化物半导体(CMOS)晶圆中创建的钝化开口的侧壁暴露出该CMOS晶圆的介电层，其可能在与释放化学物质接触时而受到损伤。在一个态样中，为了保护CMOS晶圆以及避免介电层的暴露，该钝化开口的侧壁可以用对该释放化学物质具有抗性的金属阻障层覆盖。额外地或可选地，绝缘阻障层可以沉积在CMOS晶圆的表面上，以保护钝化层免于暴露于释放化学物质。

主权项

一种装置，包括：集成电路衬底，其包括钝化开口，该钝化开口具有侧壁，该侧壁暴露该集成电路衬底的介电层；以及阻障层，其沉积在该侧壁上，该阻障层防止该介电层暴露于可用以释放与该集成电路衬底集成的微机电(MEMS)装置的释放化学物质，其中，该阻障层包括金属。