发明名称 一种全数字逐次逼近寄存器延时锁定环
摘要 本发明公开了一种全数字逐次逼近寄存器的延时锁定环,包括四条数控延时线DCDL1_A和DCDL1_B、DCDL2_A和DCDL2_B、芯片1中的传统逐次逼近寄存器SAR控制器SAR_A、芯片2中的改进型SAR控制器SAR_B、两个相位比较器PC_A和PC_B、三个独热码译码器Decoder、时序控制电路TC和六个三态缓冲器,其中:通过调整DCDL2_A和DCDL2_B的延时量来补偿相位差,消除两个硅通孔TSV1和TSV2之间的传播延时波动引入的相位偏差。该全数字SARDLL具有宽工作频率范围、快速锁定,以及能消除不同TSV间传播延时波动影响的特点。
申请公布号 CN105406858A 申请公布日期 2016.03.16
申请号 CN201510933693.4 申请日期 2015.12.11
申请人 合肥学院 发明人 徐太龙;黄慧;李瑶;薛峰;高先和;蔡志匡;胡学友;查长军;郑娟;孟硕
分类号 H03L7/081(2006.01)I 主分类号 H03L7/081(2006.01)I
代理机构 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 代理人 郑立明;陈亮
主权项 一种全数字逐次逼近寄存器延时锁定环,其特征在于,所述全数字逐次逼近寄存器的延时锁定环SARDLL包括:四条数控延时线DCDL1_A和DCDL1_B、DCDL2_A和DCDL2_B、芯片1中的传统逐次逼近寄存器SAR控制器SAR_A、芯片2中的改进型SAR控制器SAR_B、两个相位比较器PC_A和PC_B、三个独热码译码器Decoder、时序控制电路TC和六个三态缓冲器,其中:通过调整所述DCDL2_A和DCDL2_B的延时量来补偿相位差,进而消除由于连接所述芯片1和芯片2的两个硅通孔TSV1和TSV2之间的传播延时波动引入的相位偏差;所述DCDL1_A和DCDL1_B用于消除芯片1的输入时钟die1_clk和芯片2的输出时钟die2_clk之间的相位偏差;其中,四条DCDL的每个延时单元均由一个与门和两个或非门构成,每个延时单元所提供的延时量为两个或非门的延时之和。
地址 230601 安徽省合肥市经开区锦绣大道99号