发明名称 摄像装置与信号处理方法
摘要 摄像装置包括半导体衬底、光电转换膜、第一晶体管、第一电容器、第二电容器、初始化电路部和控制部。光电转换膜层叠在半导体衬底上。第一晶体管的栅极与光电转换膜电连接。第一电容器与第一晶体管的漏极电连接。第二电容器与第一晶体管的源极电连接。初始化电路部将第一电容器的第一电荷量和第二电容器的第二电荷量分别初始化,使第一电容器的第一电荷量和第二电容器的第二电荷量的总量恒定,使第二电容器的第二电荷量达到规定量。控制部在由初始化电路部进行初始化后,按照第二电荷的量使第一电荷通过第一晶体管从第二电容器向第一电容器移动。信号处理部根据第一电容器的电压生成基于由光电转换膜产生的第二电荷的量的信号分量。
申请公布号 CN105407302A 申请公布日期 2016.03.16
申请号 CN201510449864.6 申请日期 2015.07.28
申请人 株式会社东芝 发明人 舟木英之;藤原郁夫;饭田义典;宫崎崇;木村俊介
分类号 H04N5/374(2011.01)I;H01L27/146(2006.01)I 主分类号 H04N5/374(2011.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 俞丹
主权项 一种摄像装置,其中包括:半导体衬底;光电转换膜,其层叠在所述半导体衬底上;第一晶体管,其具有与所述光电转换膜电连接的栅极;第一电容器,其与所述第一晶体管的漏极电连接;第二电容器,其与所述第一晶体管的源极电连接;初始化电路部,其将所述第一电容器的第一电荷量和所述第二电容器的第二电荷量分别初始化,以使所述第一电容器的第一电荷量和所述第二电容器的第二电荷量的总量恒定,并使所述第二电容器的第二电荷量达到规定量;控制部,其在所述初始化电路部进行初始化后,使第一电荷按照所述光电转换膜因曝光而产生的第二电荷的量通过所述第一晶体管从所述第二电容器向所述第一电容器移动;以及信号处理部,其根据所述第一电容器的电压生成基于由所述光电转换膜产生的第二电荷的量的信号分量。
地址 日本东京