| 发明名称 | 高电压混合聚合陶瓷电介质电容器 | ||
| 摘要 | 在所描述的实例中，集成电路(100)包含隔离电容器(116)，其包含二氧化硅电介质层(120)及聚合物电介质层(122)。所述聚合物电介质层(122)在所述二氧化硅电介质层(120)上方且延伸跨越所述集成电路(100)。接合垫(126)在所述隔离电容器(116)的顶板(124)上。另一接合垫(130)在所述隔离电容器(116)外部且通过穿过所述聚合物电介质层(122)的通孔(132)电耦合到金属互连件(110)的实例。 | ||
| 申请公布号 | CN105408999A | 申请公布日期 | 2016.03.16 |
| 申请号 | CN201480042376.7 | 申请日期 | 2014.08.06 |
| 申请人 | 德州仪器公司 | 发明人 | 托马斯·戴尔·博尼菲尔德;拜伦·威廉斯;施里尼瓦萨恩·贾根内森 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 林斯凯 |
| 主权项 | 一种集成电路，其包括：包含半导体的衬底；安置于所述衬底中的多个晶体管；含有金属互连件的至少一个金属层级，所述金属层级安置在所述衬底上方；隔离电容器，其包含：底板；安置在所述底板上方的二氧化硅电介质层；安置在所述二氧化硅电介质层上方且延伸跨越所述集成电路的聚合物电介质层；以及安置在所述聚合物电介质层上方的顶板；安置在所述顶板上的接合垫；以及在所述隔离电容器外部的另一接合垫，所述另一接合垫通过穿过所述聚合物电介质层而安置的通孔电耦合到所述金属互连件的实例。 | ||
| 地址 | 美国德克萨斯州 | ||